功率半導(dǎo)體行業(yè)正迎來新一輪漲價(jià)潮。日前，國產(chǎn)功率半導(dǎo)體企業(yè)無錫新潔能股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“新潔能”）發(fā)布價(jià)格調(diào)整通知，宣布對(duì)MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）產(chǎn)品漲價(jià)10%起，自3月1日起發(fā)貨生效。
而在此前，已有英飛凌科技公司、杭州士蘭微電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“士蘭微”）、江蘇宏微科技股份有限公司等多家國內(nèi)外龍頭企業(yè)相繼發(fā)布產(chǎn)品調(diào)價(jià)通知，漲幅普遍在10%到20%之間，部分產(chǎn)品甚至更高。
“功率半導(dǎo)體企業(yè)此輪漲價(jià)，主要是成本壓力加劇與AI驅(qū)動(dòng)的結(jié)構(gòu)性需求爆發(fā)共同推動(dòng)的結(jié)果。”上海濟(jì)懋資產(chǎn)管理有限公司合伙人丁炳中在接受《證券日?qǐng)?bào)》記者采訪時(shí)表示。
對(duì)于此次產(chǎn)品漲價(jià)，新潔能表示，近期全球上游原材料及關(guān)鍵貴金屬價(jià)格大幅攀升，導(dǎo)致其晶圓代工成本與封測(cè)成本持續(xù)上漲，目前已無法獨(dú)自承擔(dān)持續(xù)增加的綜合成本。為保障公司可持續(xù)運(yùn)營，確保產(chǎn)品穩(wěn)定供應(yīng)及保障服務(wù)質(zhì)量，經(jīng)慎重研究，決定對(duì)產(chǎn)品價(jià)格進(jìn)行適度調(diào)整。
據(jù)悉，銅、鋁、鈀、銀等金屬是半導(dǎo)體封裝的核心材料，其價(jià)格自2025年以來出現(xiàn)顯著上漲，直接推高了生產(chǎn)成本。尤其是在中小功率器件中，封裝成本占比高達(dá)50%以上，部分產(chǎn)品甚至達(dá)到70%至80%，成本壓力直接傳導(dǎo)至終端產(chǎn)品定價(jià)。
“此輪漲價(jià)并非短期行為，或?qū)⒇灤?026年全年甚至更久。”丁炳中分析稱，貴金屬供需緊張格局短期內(nèi)難以逆轉(zhuǎn)，原材料成本仍將維持高位。同時(shí)，AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)仍處在投入高峰期，AI算力需求將持續(xù)拉動(dòng)電源系統(tǒng)升級(jí)，對(duì)功率器件的需求強(qiáng)勁。
“AI服務(wù)器單機(jī)功率已從傳統(tǒng)服務(wù)器的數(shù)千瓦飆升至數(shù)十千瓦甚至兆瓦級(jí)，直接拉動(dòng)了對(duì)功率半導(dǎo)體的海量需求。”萬聯(lián)證券投資顧問屈放在接受《證券日?qǐng)?bào)》記者采訪時(shí)表示，從產(chǎn)能上講，擴(kuò)建晶圓廠、調(diào)整產(chǎn)線結(jié)構(gòu)需要一定的周期，短期內(nèi)無法快速釋放產(chǎn)能填補(bǔ)缺口。
東海證券研報(bào)認(rèn)為，AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)仍處于大規(guī)模投入階段，海外四大CSP（芯片級(jí)封裝）廠商資本開支同比高增，預(yù)計(jì)未來對(duì)算力的需求將爆發(fā)式增長；全球半導(dǎo)體行業(yè)2025年銷售額創(chuàng)歷史新高，漲價(jià)潮正從存儲(chǔ)芯片蔓延至功率、模擬、MCU（微控制器）等非存儲(chǔ)領(lǐng)域。
在業(yè)內(nèi)人士看來，此次漲價(jià)潮中，產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)性分化的情況將加劇。“上游材料與設(shè)備商直接受益于漲價(jià)潮，如環(huán)氧塑封料、貴金屬供應(yīng)商及半導(dǎo)體設(shè)備廠商將迎來訂單增長。”屈放表示，對(duì)于中游的設(shè)計(jì)與制造企業(yè)來說，頭部廠商如英飛凌、士蘭微、新潔能等可通過漲價(jià)改善毛利率，但中小廠商或許將上下承壓。
屈放認(rèn)為，此輪漲價(jià)也將推動(dòng)以SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）為代表的第三代半導(dǎo)體加速滲透。
“當(dāng)硅基器件漲價(jià)而SiC通過規(guī)模化生產(chǎn)逐步降價(jià)時(shí)，其相對(duì)成本差距縮小，切換經(jīng)濟(jì)性增強(qiáng)。目前比亞迪、蔚來等品牌的高端車型中已批量采用SiC電驅(qū)系統(tǒng)，預(yù)計(jì)2026年國內(nèi)新能源車SiC滲透率有望突破15%。”屈放表示，在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，國產(chǎn)企業(yè)正加速追趕，將打破海外巨頭的壟斷格局。
士蘭微近期在投資者互動(dòng)平臺(tái)上表示，2025年，士蘭微繼續(xù)推進(jìn)“士蘭明鎵6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線”項(xiàng)目的建設(shè)，截至目前，已形成月產(chǎn)10000片6吋SiC-MOSFET芯片的生產(chǎn)能力；“士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線”項(xiàng)目已于2025年底實(shí)現(xiàn)通線。
華潤微電子有限公司在最近的投資者調(diào)研活動(dòng)中透露了其在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的進(jìn)展及未來方向：碳化硅方面，2025年相關(guān)產(chǎn)線基本實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)，最新一代MOS G4產(chǎn)品已推向市場(chǎng)，并獲得各行業(yè)標(biāo)桿客戶的認(rèn)可與批量使用，主驅(qū)模塊已實(shí)現(xiàn)批量上車。在氮化鎵方面，外延中心正式啟用，產(chǎn)能擴(kuò)產(chǎn)有序推進(jìn)，并正加快向更大規(guī)模爬坡。2026年，該公司將繼續(xù)加快新一代產(chǎn)品研發(fā)，重點(diǎn)拓展車規(guī)、數(shù)據(jù)中心、無人機(jī)、風(fēng)光儲(chǔ)能等高景氣賽道，預(yù)計(jì)第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)將保持強(qiáng)勁增長態(tài)勢(shì)，有望實(shí)現(xiàn)營收規(guī)模翻倍以上的提升。
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